@techreport{oai:ir.kagoshima-u.ac.jp:00001150,
 author = {池田, 徹},
 month = {2016-10-27},
 note = {2011-2013年度科学研究費助成事業（挑戦的萌芽研究）研究成果報告書　課題番号：23656083　研究代表者：池田徹（鹿児島大学・理工学研究科・教授）, 応力を受けるSiの電気特性変動について、バルクシリコンの移動度特性はよく表されているものの、nMOSFETについては実験結果から得られる移動度変化との乖離が残った。この応力によるnMOSFETの移動度の変化についての理論値と実験値の乖離について、真性キャリア濃度の変化と電子がnMOSFETのチャネル化の非常に薄い層に偏在することによる、二次元量子化の影響について検討を行った。その結果、ひずみによる真性キャリア濃度変化の電気特性変動に対する寄与は比較的小さいことがわかった。また、反転層における表面量子化の考慮も十分に現象を表現するには至らなかった。, This study discusses a numerical model for analyzing the effects of mechanical stress on semiconductor devices. In other words, drift-diffusion device simulation is conducted using a physical model incorporating the effects of mechanical stress. Then, each impact of the stress-induced physical phenomena is analyzed. In our previous study, three physical phenomena that were attributed to mechanical stress have been modeled in our electron mobility model, i.e., the changes in relative population, the momentum relaxation time and the effective mass of electrons in conduction-band valleys. In this study, the stress-induced change of intrinsic carrier density is modeled. Stress-induce variations of drain current characteristics on nMOSFETs are evaluated using a drift-diffusion device simulator including above mentioned physical models. It is demonstrated that the impact of stress-induced change of intrinsic carrier density is small for our evaluated nMOSFETs.},
 title = {ひずみ負荷による半導体デバイスの電気特性変動についてのナノメカニクス的検討},
 year = {}
}