@misc{oai:ir.kagoshima-u.ac.jp:00013272,
 author = {井, 幸孝 and I, Yukitaka},
 month = {2016-10-31},
 note = {修士論文(鹿児島大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻博士前期課程)

本研究は、SiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ（SiC-BGSIT）のスイッチング特性を明らかにすることに加え、ドレイン‐ゲート間相互作用を表現できるSPICE素子モデルの構築を目的とする。SiC-BGSITはSi-MOSFETと比べて、より低損失、高耐圧、高温動作であるものの、新しい素子であることに加え、逆のオン・オフ特性（ノーマリオン特性）を持つため、応用面から詳しく調べられていない。研究では、この相互作用について実験的に調べ、SPICE3のJFETモデルを利用して、SiC-BGSITの素子モデル構築を試みた。結果として、ドレイン‐ゲート間相互作用を定量的に説明できる素子モデルを得た。},
 title = {SiCトランジスタ のスイッチング特性とドレイン-ゲート間相互作用について},
 year = {},
 yomi = {イ, ユキタカ}
}