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  1. 掲載誌一覧
  2. 鹿児島大学工学部研究報告
  3. vol.26
  1. 工学部
  2. 工学部・紀要論文

分子線エピタキシーによるZnSe:Al薄膜の成長

http://hdl.handle.net/10232/11257
http://hdl.handle.net/10232/11257
02f4e834-d3f2-41c0-a669-91e971d87958
名前 / ファイル ライセンス アクション
AN00040363_v26_p139-143.pdf AN00040363_v26_p139-143.pdf (481.9 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2015-06-08
タイトル
タイトル 分子線エピタキシーによるZnSe:Al薄膜の成長
タイトル言語 ja
タイトル
タイトル Al-doped ZnSe thin films grown by molecular beam epitaxy
タイトル言語 en
著者 肥後, 悟

× 肥後, 悟

ja 肥後, 悟

en HIGO, Satoru

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那須, 昌吾

× 那須, 昌吾

ja 那須, 昌吾

en NASU, Shogo

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坂元, 渉

× 坂元, 渉

ja 坂元, 渉

en SAKAMOTO, Wataru

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沼田, 正

× 沼田, 正

ja 沼田, 正

en NUMATA, Tadashi

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言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
要約
内容記述タイプ Other
内容記述 ZnSe thin films with Al doping, were gtown on Ge(111) substrates by the molecular beam epitaxial method. At room temperature, the photoluminescence spectra of ZnSe thin film contained two main peaks. One is blue complex photoluminescences composed of a strong broad PL emission (~460nm) in the range of near-band-gap and of two strong broad ones (~420nm and ~440nm) in a range shorter than its near-band-gap. The other one is a green PL emission (~532nm). It was proved that at lower Al-cell temperatures the intensity of blue PL emission (~440nm) increased suddenly owing to an increase in Al atoms which substituted for Zn atom sites and acted as donors. At higher Al-cell temperatures, excess incorporation of Al resulted in a decrease in blue PL emission and a remarkable increase in the green PL emission.
内容記述言語 en
収録雑誌名 ja : 鹿児島大学工学部研究報告
en : The research reports of the Faculty of Engineering, Kagoshima University

巻 26, p. 139-143, 発行日 1984-11
作成日
日付 1984-11
日付タイプ Issued
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
ISSN 0451212X
NII書誌ID(雑誌)
収録物識別子タイプ NCID
NC ID AN00040363
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
NDC
主題Scheme NDC
主題 549
公開者・出版者
出版者 鹿児島大学
出版者言語 ja
公開者・出版者
出版者 Kagoshima University
出版者言語 en
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Ver.1 2023-07-25 09:46:05.057259
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