| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2015-06-08 |
| タイトル |
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タイトル |
分子線エピタキシーによるZnSe:Al薄膜の成長 |
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タイトル言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Al-doped ZnSe thin films grown by molecular beam epitaxy |
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タイトル言語 |
en |
| 著者 |
肥後, 悟
那須, 昌吾
坂元, 渉
沼田, 正
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| 言語 |
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言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| 要約 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
ZnSe thin films with Al doping, were gtown on Ge(111) substrates by the molecular beam epitaxial method. At room temperature, the photoluminescence spectra of ZnSe thin film contained two main peaks. One is blue complex photoluminescences composed of a strong broad PL emission (~460nm) in the range of near-band-gap and of two strong broad ones (~420nm and ~440nm) in a range shorter than its near-band-gap. The other one is a green PL emission (~532nm). It was proved that at lower Al-cell temperatures the intensity of blue PL emission (~440nm) increased suddenly owing to an increase in Al atoms which substituted for Zn atom sites and acted as donors. At higher Al-cell temperatures, excess incorporation of Al resulted in a decrease in blue PL emission and a remarkable increase in the green PL emission. |
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内容記述言語 |
en |
| 収録雑誌名 |
ja : 鹿児島大学工学部研究報告
en : The research reports of the Faculty of Engineering, Kagoshima University
巻 26,
p. 139-143,
発行日 1984-11
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| 作成日 |
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日付 |
1984-11 |
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日付タイプ |
Issued |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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ISSN |
0451212X |
| NII書誌ID（雑誌） |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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NC ID |
AN00040363 |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| NDC |
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主題Scheme |
NDC |
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主題 |
549 |
| 公開者・出版者 |
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出版者 |
鹿児島大学 |
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出版者言語 |
ja |
| 公開者・出版者 |
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出版者 |
Kagoshima University |
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出版者言語 |
en |
AN00040363_v26_p139-143.pdf (481.9 kB)
