WEKO3
アイテム
(Cu, C)系積層構造を用いた高臨界温度・レアアースレス超伝導薄膜材料の創成
http://hdl.handle.net/10232/23838
http://hdl.handle.net/10232/2383841e866c5-fc66-4350-81f2-896e555fd47e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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23360139_寺田教男.pdf (683.0 kB)
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| Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2015-05-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | (Cu, C)系積層構造を用いた高臨界温度・レアアースレス超伝導薄膜材料の創成 | |||||
| タイトル言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Development of High Temperature and Rare-Earth Less Superconducting Thin Films by Controlling (Cu, C)-based Artificial Multi-layer Structure | |||||
| タイトル言語 | en | |||||
| 著者 |
寺田, 教男
× 寺田, 教男 |
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| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題言語 | ja | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 超電導材料・素子 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題言語 | ja | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 表面・界面物性 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題言語 | ja | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 薄膜 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題言語 | ja | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 強相関エレクトロニクス | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題言語 | ja | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 量子エレクトロニクス | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題言語 | ja | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | レアアース・レス | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||
| 資源タイプ | research report | |||||
| 要約 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 2011-2013年度科学研究費助成事業（基盤研究（B））研究成果報告書 課題番号：23360139 研究代表者：丸山征郎（鹿児島大学・理工学研究科・教授） | |||||
| 内容記述言語 | ja | |||||
| 要約 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 独自に見出した低成長温度・レアアースレス等の特徴を持つ(Cu, C)-1201極薄膜の超電導発現機構を検討し、ヘテロ界面歪効果が重要なことを確定するとともに、歪みエピタキシャル成長する類縁物質を1201層の上下に挿入し両界面の格子不整合を制御することで特性向上を達成した。この積層の人為的繰り返しは単位幅当たりの臨界電流密度向上の有望な手法として位置づけられる。また、全元素同時堆積法による薄膜においても超電導発現に成功し、実用的作成法の端緒を開くことに成功した。以上より、人工積層構造の制御により、無毒性元素・レアアースレス高温超伝導薄膜材料の創成、形成基盤技術確立という目的を達成したと考える。 | |||||
| 内容記述言語 | ja | |||||
| 要約 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | The investigation of structural origin and the development of practical growth technique of the (Cu, C)-1201 rare-earth element free, superconducting films have been performed. The compressive interfacial strain at the top and bottom of the 1201 layer is a dominant factor for the emergence of superconductivity, which is optimized by controlling thickness of the over- and under-layers grown in the strained epitaxial-mode. The optimization yields an emergence of superconductivity on the ultra-thin 1201 layer. The repeating growth of this layered structure is a promising method for improving the critical current density per unit width. The emergence of superconductivity has been also confirmed on the films grown by the co-deposition of all of the constituents. As mentioned above, the fundamentals for the growth of the rare-earth free superconducting film and the foothold for practical growth techniques are established, which means the objective of this research is successfully achieved. | |||||
| 内容記述言語 | en | |||||
| 作成日 | ||||||
| 日付 | 2014-06-19 | |||||
| 日付タイプ | Collected | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| NDC | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 427 | |||||
| 公開者・出版者 | ||||||
| 出版者 | 鹿児島大学 | |||||
| 出版者言語 | ja | |||||
| 公開者・出版者 | ||||||
| 出版者 | Kagoshima University | |||||
| 出版者言語 | en | |||||
| 科研費番号 | ||||||
| 科研費番号 | 23360139 | |||||
