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  1. 掲載誌一覧
  2. 鹿児島大学工学部研究報告
  3. vol.19
  1. 工学部
  2. 工学部・紀要論文

SnSe単結晶の気相成長及び極性メモリー現象

http://hdl.handle.net/10232/12727
http://hdl.handle.net/10232/12727
b49ab897-ade9-4a95-ad47-38ce8a58df07
名前 / ファイル ライセンス アクション
AN00040363_v19_p85-90.pdf AN00040363_v19_p85-90.pdf (10.4 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2015-06-17
タイトル
タイトル SnSe単結晶の気相成長及び極性メモリー現象
タイトル言語 ja
タイトル
タイトル VAPOUR GROWTH OF SnSe SINGLE CRYSTAL And POLARIZED MEMORY EFFECT
タイトル言語 en
著者 沼田, 正

× 沼田, 正

ja 沼田, 正

en NUMATA, Tadashi

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篠原, 正典

× 篠原, 正典

ja 篠原, 正典

en SHINOHARA, Masanori

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七呂, 勇

× 七呂, 勇

ja 七呂, 勇

en HICHIRO, Isamu

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言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
要約
内容記述タイプ Other
内容記述 Thin films of SnSe single crystal with (001) growth surface were grown in an argon atmosphere
by the subrimation method.
Polarized memory effects were found in point contact diodes constructed with these SnSe
crystals and Cu whiskers. The detailed features of memory characteristics depend on the choice
of metals for the point contact electrode, on the sharpness of the contact and also electrical
forming is necessary to cause the memory effect.
When the diode was switched from OFF to ON state, a damage was appeared under the
contact electrode. Electron micrprobe X-ray analysis has been performed on these damages.
内容記述言語 en
収録雑誌名 ja : 鹿児島大学工学部研究報告
en : The research reports of the Faculty of Engineering, Kagoshima University

巻 19, p. 85-90, 発行日 1977-11
作成日
日付 1977-11
日付タイプ Issued
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
ISSN 0451212X
NII書誌ID(雑誌)
収録物識別子タイプ NCID
NC ID AN00040363
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
NDC
主題Scheme NDC
主題 459
公開者・出版者
出版者 鹿児島大学
出版者言語 ja
公開者・出版者
出版者 Kagoshima University
出版者言語 en
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Ver.1 2023-07-25 09:48:37.556307
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