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アイテム
SiCトランジスタ のスイッチング特性とドレイン-ゲート間相互作用について
http://hdl.handle.net/10232/25598
http://hdl.handle.net/10232/255984b3e6423-8e84-4f2b-8120-ead44b20d540
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||||
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公開日 | 2015-11-09 | |||||||||||
タイトル | ||||||||||||
タイトル言語 | ja | |||||||||||
タイトル | SiCトランジスタ のスイッチング特性とドレイン-ゲート間相互作用について | |||||||||||
タイトル | ||||||||||||
タイトル言語 | ja-Kana | |||||||||||
タイトル | SiC トランジスタ ノ スイッチング トクセイ ト ドレイン‐ゲート カン ソウゴ サヨウ ニツイテ | |||||||||||
著者 |
井, 幸孝
× 井, 幸孝
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言語 | ||||||||||||
言語 | jpn | |||||||||||
資源タイプ | ||||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||||||||
資源タイプ | thesis | |||||||||||
要約(Abstract) | ||||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||||
内容記述 | 修士論文(鹿児島大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻博士前期課程) 本研究は、SiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(SiC-BGSIT)のスイッチング特性を明らかにすることに加え、ドレイン‐ゲート間相互作用を表現できるSPICE素子モデルの構築を目的とする。SiC-BGSITはSi-MOSFETと比べて、より低損失、高耐圧、高温動作であるものの、新しい素子であることに加え、逆のオン・オフ特性(ノーマリオン特性)を持つため、応用面から詳しく調べられていない。研究では、この相互作用について実験的に調べ、SPICE3のJFETモデルを利用して、SiC-BGSITの素子モデル構築を試みた。結果として、ドレイン‐ゲート間相互作用を定量的に説明できる素子モデルを得た。 |
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内容記述言語 | ja | |||||||||||
作成日 | ||||||||||||
日付 | 2015-01-01 | |||||||||||
日付タイプ | Collected | |||||||||||
出版タイプ | ||||||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
NDC | ||||||||||||
主題Scheme | NDC | |||||||||||
主題 | 549.6 | |||||||||||
公開者・出版者 | ||||||||||||
出版者言語 | ja | |||||||||||
出版者 | 鹿児島大学 | |||||||||||
公開者・出版者 | ||||||||||||
出版者言語 | ja-Kana | |||||||||||
出版者 | カゴシマ ダイガク | |||||||||||
公開者・出版者 | ||||||||||||
出版者言語 | en | |||||||||||
出版者 | Kagoshima University | |||||||||||
備考 | ||||||||||||
備考 | 指導教員: 田中哲郎准教授 |