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SiCトランジスタ のスイッチング特性とドレイン-ゲート間相互作用について
http://hdl.handle.net/10232/25598
http://hdl.handle.net/10232/255984b3e6423-8e84-4f2b-8120-ead44b20d540
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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修士論文 井幸孝(製本用）.pdf (2.7 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2015-11-09 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiCトランジスタ のスイッチング特性とドレイン-ゲート間相互作用について | |||||
| タイトル言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiC トランジスタ ノ スイッチング トクセイ ト ドレイン‐ゲート カン ソウゴ サヨウ ニツイテ | |||||
| タイトル言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
井, 幸孝
× 井, 幸孝 |
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| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| 要約 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 修士論文(鹿児島大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻博士前期課程) 本研究は、SiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ（SiC-BGSIT）のスイッチング特性を明らかにすることに加え、ドレイン‐ゲート間相互作用を表現できるSPICE素子モデルの構築を目的とする。SiC-BGSITはSi-MOSFETと比べて、より低損失、高耐圧、高温動作であるものの、新しい素子であることに加え、逆のオン・オフ特性（ノーマリオン特性）を持つため、応用面から詳しく調べられていない。研究では、この相互作用について実験的に調べ、SPICE3のJFETモデルを利用して、SiC-BGSITの素子モデル構築を試みた。結果として、ドレイン‐ゲート間相互作用を定量的に説明できる素子モデルを得た。 |
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| 内容記述言語 | ja | |||||
| 作成日 | ||||||
| 日付 | 2015-01-01 | |||||
| 日付タイプ | Collected | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| NDC | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 549.6 | |||||
| 公開者・出版者 | ||||||
| 出版者 | 鹿児島大学 | |||||
| 出版者言語 | ja | |||||
| 公開者・出版者 | ||||||
| 出版者 | カゴシマ ダイガク | |||||
| 出版者言語 | ja-Kana | |||||
| 公開者・出版者 | ||||||
| 出版者 | Kagoshima University | |||||
| 出版者言語 | en | |||||
| 備考 | ||||||
| 備考 | 指導教員: 田中哲郎准教授 | |||||
